低エネルギーガンマ線検出用シリコンストリップの開発

本年度は両面SSDをVA32TAとワイヤボンディングして読み出してみた． 読みだし回路VA32TAは，外から与えるフラグによって，各回路のバイアス電流や フィードバック素子の値を調整できる． そこで，今回試作した両面SSDに対して最適な回路状態にするための電流値 を探して，その状態を得た． こうした状態で得た最も良いエネルギー分解能の状態でのp側の全ch加算スペク トルを図3に示す．$^{57}$Coの122keV, 136keVの2つ がくっきり分かれているだけでなく，周囲の鉛から出たPb-KのK$\alpha _1$, K$\alpha _2$ (75.0, 72.8keV)の2つまでもがはっきり分離しているのがわかる． エネルギー分解能は122keVで1.3keVを達成した．これは片面SSDを読み出したと きと比べて遜色ない値であり，非常にうまく読み出せていることを示す．

また，DSSDで光電吸収されたにもかかわらず，電荷が隣のチャンネルにまで洩れ 出して信号出力されるスプリットイベントの割合も調べたが，122keVで5%以下となり， 特に問題となるレベルではないことがわかった。また，一様にガンマ線を当てた ときの各ストリップの反応率は，ほぼ同じになり，フラットイメージが得られることも 確かめた。

図 3: 両面SSDをVA32TAで読みだしたときの$^{57}$Coに対する エネルギースペクトル。122,136keV,14keVのライン以外にも，コリメータの Pb-K$\alpha _1$，K$\alpha _2$(73,75keV)が分かれて見える．