低エネルギーガンマ線検出用シリコンストリップの開発

本年度は昨年試作した低ノイズ両面シリコンストリップ(DSSD)と低ノイズ多 チャンネル読み出し回路VA32TAの基礎特性試験を行なった． 試作したDSSDは，厚さ0.3mm，ストリップピッチが0.4mmと0.8mmのもので，それぞ れ64ch, 32chである． ストリップ長は24mmである． pストリップギャップを3種類変えたものをつくって，ノイズ特性を調べた． DSSDは低容量低リーク電流であること，DSSDの1chをプリアンプで読みだしたと きは1.5keVの良い分解能を達成することを確認した． ストリップギャップが大きいものの方が容量は小さかった。 また，VA32TA 1つと片面シリコンストリップと接続してX線を当てたところ， 64chを加算した状態で，1.3keVのエネルギー分解能を達成することが確認された． この値は，シリコンストリップでは，今まで報告例がないくらいの良い値である． また，VA32TAを複数読み出すためのシステムの構築を行ない， 2つのVA32TAを用いて両面DSSDを読み出すことに成功した． そのときに得られたX線イメージを図2に示す． 本研究は，宇野の修士論文としてまとめられた．

また，来年度に試作予定のコンプトンカメラによる偏光測定のため，コンプトン 散乱を利用した偏光ガンマ線の発生を実験室で進めた． さらに，シリコンストリップの場所によるX線応答のマッピングを行なうための セットアップの立ち上げも行なった．

図 2: $^{241}$Amを当てたときの両面シリコンストリップで得られたスペク トル(左)とX線イメージ(59.5keV，右)．